使用臭氧水清洗的优点
使用臭氧水去除颗粒金属有机物质的原理
臭氧水处理时间与氧化膜厚度的关系
【结果】
通过臭氧水清洗从而在硅基板表面上形成最大厚度0.8nm的氧化膜。
臭氧水处理方式与颗粒去除率的关系
【结果】
通过反复清洗处理,仅仅10秒时间表可以达到良好的效果。
通过臭氧水清洗而除去玻璃基板上的有机物质
【结果】
通过使用臭氧水清洗,从而去除了各种基板上的有机物质。
出展:オゾンハンドブック
製品案内
通过臭氧水清洗从而在硅基板表面上形成最大厚度0.8nm的氧化膜。
通过反复清洗处理,仅仅10秒时间表可以达到良好的效果。
通过使用臭氧水清洗,从而去除了各种基板上的有机物质。
出展:オゾンハンドブック
SiC(碳化硅)是由Si和C元素组成的半导体材料碳化硅拥有第二个
周期的碳元素,
与硅或者砷化镓比较,具有很强的原子结合能力,被称为宽带隙半导体。
碳化硅的能带隙达到3.2eV之大,这相当于当前主流的硅半导体的三倍。
因此,介电击穿电场强度约为硅半导体的10倍。此外,
其导热性是后者的三倍,
散热性能优异,耐热性也十分良好。