SiC ウエハ

SiC（炭化ケイ素）はSiとCからなる半導体材料である。第2周期の元素であるＣを有するSiCはSiやGaAsに比べ強固な結合原子を持ち、ワイドギャップ半導体と呼ばれる。SiCのバンドギャップは3.2eVと大きく、現在主流のSi半導体と比較し約3倍である。
その為、絶縁破壊電界強度はSi半導体の約１０倍と脅威的に大きい。 その他、熱伝導度は３倍高く放熱性に優れ、耐熱性も良好である。