業務案内

単結晶GaN基板の販売

MTKは中国の単結晶GaN製造会社である蘇州納維科技有限公司と契約締結し、日本国内でのウエハ販売を開始いたしました。
パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザ用に注目されています。

GaNテンプレート(φ2インチ)

製品型番GaN-T-C-N-C50GaN-T-C-P-C50
直径φ50.8mm ± 0.1mm
GaN膜厚4um。 10~25um4um
方位面C面(0001)面 ± 0.5°
導電タイプN型
(Undoped)
N型
(Si-doped)
P型
オリフラ方位。長さオリフラ方位(1-100)。 オリフラ長さ16 ±1mm
電気抵抗率(300K)< 0.5Ω・cm< 0.05Ω・cm~10Ω・cm
転移欠陥密度5 X 108 個/cm2以下
基板構造GaN / サファイアウエハ(0001)面
有効面積90%以上
表面仕上げGa面:CMP仕上げ。 N面:ファイングランディング(オプション:光学鏡面仕上げ)
梱包方法クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

GaNテンプレート(φ4インチ)

製品型番GaN-T-C-N-C100
直径φ100mm ± 0.1mm
GaN膜厚4um。 10~25um
方位面C面(0001)面 ± 0.5°
導電タイプN型
(Undoped)
オリフラ方位。長さオリフラ方位(1-100)。 オリフラ長さ 30 ±1mm
電気抵抗率(300K)< 0.5Ω・cm
転移欠陥密度5 X 108 個/cm2以下
基板構造GaN / サファイアウエハ(0001)面
有効面積90%以上
表面仕上げGa面:CMP仕上げ。 N面:ファイングランディング(オプション:光学鏡面仕上げ)
梱包方法クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

GaNウエハ(φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate

製品型番GaN-FS-C-N-C50GaN-FS-C-SI-C50
直径φ50.8mm ± 0.1mm
ウエハ厚350 ± 25 um
方位面C面(0001)面 ± 1°
導電タイプN型
(Undoped)
半-絶縁性
1次オリフラ方位。長さオリフラ方位(1-100)±0.5°。 オリフラ長さ16 ±1mm
2次オリフラ方位。長さオリフラ方位(11-20)±3°。 オリフラ長さ 8 ±1mm
平坦度TTV15um以下
反りBOW20um以下
電気抵抗率(300K)< 0.5 Ω・cm> 106 Ω・cm
転移欠陥密度5 X 105 個/cm2以下
有効面積90%以上
表面仕上げGa面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド(非鏡面)
梱包方法クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

GaN角基板

製品型番GaN-FS-C-N-S10*10
サイズ10mm * 10.5mm、 ±0.2mm
基板厚350 ± 25 um
方位面C面(0001)面 ± 1°
導電タイプN型
(Undoped)
半-絶縁性
平坦度TTV15um以下
反りBOW20um以下
電気抵抗率(300K)< 0.5 Ω・cm> 106 Ω・cm
転移欠陥密度5 X 105 個/cm2以下
有効面積90%以上
表面仕上げGa面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド(非鏡面)
梱包方法クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

非極性GaN角基板(A面&M面)

製品型番GaN-FS-A-N-SGaN-FS-M-N-S
サイズ(例1)5mm * 10mm、 ±0.2mm
サイズ(例2)5mm * 20mm、 ±0.2mm
基板厚350 ± 25 um
方位面A面(1120)面 ± 1°
M面(1-100)面 ± 1°
導電タイプN型
(Undoped)
半-絶縁性
1次オリフラ方位。長さオリフラ方位(1-100)±0.5°。 オリフラ長さ16 ±1mm
平坦度TTV15um以下
反りBOW20um以下
電気抵抗率(300K)< 0.5 Ω・cm> 106 Ω・cm
転移欠陥密度5 X 105 個/cm2以下
有効面積90%以上
表面仕上げGa面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド(非鏡面)
梱包方法クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

AlNテンプレート(φ2インチ)

製品型番AlN-T-C-S-C50
直径φ50.8mm ± 0.1mm
GaN膜厚標準仕様:4um
オプション:10nm ~ 5000nm(5um)
方位面C面(0001)面 ± 1°
導電タイプ半絶縁性
オリフラ方位。長さオリフラ方位(1-100)。 オリフラ長さ16±1mm
基板構造AlN / サファイアウエハ(またはSiCウエハ、GaNウエハ)
有効面積80%以上
表面仕上げAl面:CMP仕上げ。
N面:標準仕様はファイングランディング仕上げ(オプション:光学鏡面仕上げ)
結晶半値幅
(微少欠陥数程度)
XRD半値幅(0002)面 : < 500 arcsec.
XRD半値幅(10-12)面 : < 1500 arcsec.
梱包方法クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。
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SiC ウエハ

SiC(炭化ケイ素)はSiとCからなる半導体材料である。第2周期の元素であるCを有するSiCはSiやGaAsに比べ強固な結合原子を持ち、ワイドギャップ半導体と呼ばれる。SiCのバンドギャップは3.2eVと大きく、現在主流のSi半導体と比較し約3倍である。
その為、絶縁破壊電界強度はSi半導体の約10倍と脅威的に大きい。 その他、熱伝導度は3倍高く放熱性に優れ、耐熱性も良好である。