目的別ソリューション

単結晶SiC、洗浄装置、単結晶GaN、オゾン水生成装置それぞれお客様の目的を叶えるソリューションをご提供しております。
こちらに記載されていない目的などは、お気軽にご相談下さい。

単結晶SiC

  • SiCウエハ
    (2インチ、3インチ、4インチ)
  • SiCインゴット
    (2インチ、3インチ、4インチ)
  • 角チップ
    (□1mm~□50mm)
  • 電極膜付
    (Ni、Ti、Au等)
  • 薄膜基板
    (100μm厚)
  • 複雑形状加工
  • 販売実績(300社以上)

洗浄装置

  • パーティクル除去
  • 金属除去
  • デポ物除去
  • 裏面膜除去
  • 両面処理
  • エッチング
  • 半導体用
  • HD用
  • MEMS用

サファイアウエハ

単結晶GaN

  • GaNウエハ
  • GaNテンプレート
  • AlNテンプレー

オゾン水生成装置

  • 半導体用洗浄
  • 液晶用洗浄
  • 太陽電池用洗浄
  • LED用洗浄
  • センサ・MEMS用洗浄
  • その他パーツ洗浄

動画で見る洗浄装置

高性能ウエハ洗浄装置、MTKの枚葉式Wet処置装置MTK-CLシリーズの機能を4つの動画からご紹介しております。

MTK 洗浄装置(片面処理バージョン)

MTK洗浄装置(2流体ジェット)

MTK洗浄装置(両面同時洗浄)

MTK洗浄装置(単結晶SiCウエハ処理)

News

過去の記事

SiCウエハとは?

単結晶SiCウエハ(SiC基板)は、昨今、パワー半導体、高輝度LED、高パワーレーザの用途で市場拡大が確実視されております。
では、SiCウエハとは何か。 SiCウエハの材料を構成する炭化ケイ素(SiC)は単結晶でありながら、Si原子とC原子が御互いの位置の組み合わせの違いにより、種々の結晶構造(ポリタイプという)が存在します。
自動車、家電、エネルギー発電などに使用されるパワー半導体においては、主に4H―Nタイプが使用されます。その他として6H―Nや3C-Nなどがあります。4H-NにおけるHは六方晶(Hexagonal)を意味します。-NはN型原子、多くは窒素を材料中に混入させて導電性をもたせたタイプを意味します。3CのCは立方晶(Cubic)を意味します。
SiCウエハは、現在主に使用されているSi(シリコン)材料に比較して、耐高温、耐高電圧という特徴がある為、何百度もある厳しい高温環境下に設置されても、極めて優れた省電力、高速度のスイッチング特性を発揮します。詳しくは単結晶SiC用語辞典を御覧ください。

単結晶SiC用語辞典

お問い合わせ・見積 カタログからのお問い合わせ お問い合わせ・見積

2018年 採用案内 現在正社員を募集しています。

株式会社MTKとは
2007年に現創業者の松井淳が設立した会社です。半導体をはじめとした微細加工に長年携わってきたことから、まずは、半導体用の部材の輸入販売を始めました。
主な製品としてはSiCウエハ(SiC基板)、サファイアウエハ、GaNウエハ(GaN基板)です。お陰様で、SiCウエハにおいては、パワー半導体、省エネルギーのトレンドも追い風となり、国内に多くのお客様へ販売させていただいております。
更にそれまで研究開発を続けていた洗浄装置、ウエット処理装置も開発が終了し、2014年から販売を開始しました。これまで半導体、液晶、MEMS、センサー関連会社様からの問い合わせが増加してきており、今後のMTKの事業の柱となる製品です。