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MTK臭氣水生成器

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■臭氧水浓度高

(最大30ppm)

■臭氧水中无金属杂质

半导体,液晶,太阳能电池等洁净规格(臭氧水生成部由氟素树脂材料组成)

■臭氧浓度上升快

达到臭氧最大浓度仅需大约1分钟

■生成器体积小

长400mm。宽550mm。高820mm(标准规格)

■与其他公司产品相比价格低廉

节约成本替代药品

  • 节约成本替代药品

    目前市场上关于半导体晶片的清洗,主要使用的是SCL(氨/过氧化氢)硫酸,盐酸等药物,价格较高。使用臭氧水和稀氢氟酸来代替这些化学药品,在降低成本的同时,可以更好地去除金属杂质。

  • 出色的清洗能力仅次于氟素的酸化还原能力

    臭氧具有仅次于氟的高氧化还原电位,可以氧化分解大量杂质。例如,氧化有机物质并除去二氧化碳气体。此外,通过氧化硅的表面形成二氧化硅膜,从而实现清洗后不留斑点。

  • MTK旨在提供低成本的设备

    我们设计在臭氧水生成一个点的核心不具有所谓的多余的质量设计。除了氧气,其他原料几乎不消耗,因此具有很高的性价比(取决于机型)。

使用臭氧水生成装置的

◯半导体(清洗)
◯FPD,液晶(清洗)
◯MEMS,传感器(清洁)
◯硬盘(清洗)
◯太阳能电池(清洁)
◯医疗(洗手,纯净水管道清洗)
◯食品(洗手,消毒,除臭)

使用臭氧水可去除的物质以及所需臭氧的浓度

利用臭氧的强氧化能力,可以实现分解并去除大量的杂质。
根据杂质的形状与数量的不同,所需浓度也将有所变化,请参考右图数据。
此外,如将稀氢氟酸与臭氧水同时使用,去除杂质的效果将倍增。

基本规格

項目 項目
臭氧生成方式 无声放电法
将臭氧气体溶解于纯净水的方法 喷射方式
臭氧水中臭氧的浓度监测 紫外吸收法
臭氧水浓度 最高为30ppm
臭氧水流量 最高50L /min
设备尺寸 宽度400mm 深度550mm 高度850毫米(标准型)
重量 20 ~ 100Kg
消耗功率 ~3KW
氧气压力 为0.1MPa(供给为0.3MPa)
氧气纯度 99.5%(指定)
氧气消耗量 ~16L/min.
供应纯净水的压力 0.20Mpa以上(理想值0.25MPa)
供应纯净水的温度 低于25℃
臭氧气体生成部的冷却水温度 理想值为20℃以下。如无法实现,需根据情况增加冷却器(可选)。
CO2气体消耗量
(臭氧浓度过高时需通过纯净水?行注入)
大约100cc/min
装置
タイプ
製品 用途 オゾン
濃度(ppm)
臭氧浓度
(L/min)
納期
●而半导体精密清洗
●LED,LCD,传感器
●太阳能电池,MEMS部
●半导体用洁净规格。
●所有的过流部件均采用塑料部件。( 臭氧水中不含有金属成分)
25 10 1~
2.5ヶ月
25 30
20 2.5
20 5
10 5
10 10
5 10
5 20
允许臭氧水含有少量金属成分 ●低价版。
●在气体溶部位使用SUS316材质的装置,管道。臭氧气体生成部与上述相同。
●如果允许臭氧水含有少量金属成分,与I机型相比价格低廉。
25 10
25 30
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20 5
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5 10
5 20

①减少化学药品的使用

a) 半导体用化学药品一般包括SC1(NH4OH/H2O2/DIW) 和SC2 (HCl/H2O2/DIW),但是SC1 和SC2是相对较贵,并且需在60-100 ℃的高温条件下发生作用,难以使用。而近年,臭氧水作为可替代SC1 和SC2 的新的清洗方式, 受到广泛关注。因为仅仅是将纯净水通过臭氧水生成器,便可以简单地产生臭氧,因此可大大降低运营成本。
b) 使用臭氧水进行清洗处理后,臭氧成分便迅速蒸发,因此废水处理也十分容易。

②出色的清洗能力(颗粒, 金属污染物,有机物质)

因为臭氧拥有仅次于氟素的氧化还原能力,其清洗能力高于SC1、SC2尤其是用于清洗表面很难氧化的碳化硅或氮化镓基板也十分有效。(两者作为半导体材料受到广泛关注)

推荐的清洗处理方法

※清洗装置使用枚叶式主轴。

使用臭氧水的优点(与使用药液的比较)

使用臭氧水 优劣判断 使用药液
①仅次于氟素的强氧化能力
  →去除金属,有机物强力有效
× ①使用盐酸,硫酸,双氧水等具有强酸性的药液,并且药液具有100℃左右的高温,操作时要十分注意。
②臭氧水处理后形成氧化膜,(0.8nm左右)
    →晶片表面具有亲水性
        →晶片表面粒子数少
②将氨气/双氧水与上述①强酸一起使用的情况较多(为了除去粒子)
③臭氧成分通过自然蒸发,或者通过使用简易臭氧分解设备, 从而使工厂排水变为可能。
    →臭氧水易蒸发,立刻变成纯水
    →可以使用工厂废水管道排放臭氧水
    →纯水可循环利用
③药液使用后,使用工厂的废液处理设备中和处理。
  → 药液不可循环使用

成本比较

⑤消耗材料价格低
  →基本上只需支付氧气费用和电费
       总计费用52,900日元/月(634,800日元/年)
× ④药液成本高。(以使用浴槽式设备清洗为例计算)
总计药液费用:9,450,060日元/月(113,400,720日元/年)
(上述⑤的具体内容)
・氧气费用:1liter/分 、1,300日元/m3、臭氧水制造设备的运转率以80%计算为例 → 1个月氧气使用费:46,000日元
・电费  设备消耗电力:400W,电费以30日元/KWh为例,每个月的电费6,900日元/月
(上述④的具体内容)
・硫酸/双氧水(50升*3回交换/每天。成分比:硫酸5对双氧水1。硫酸单价:1,000日元/500ml,双氧水单价:1,300日元/500ml)
→每月硫酸消耗量3,750升(7,500,060日元/月)
→每月双氧水消費量750升(1,950,000日元/月)
⑥与其它公司相比,低价提供设备

臭氧水清洗处理后的金属附着量

オゾン水による各不純物除去メカニズム

よくある質問

  • ・什氣是臭氣水?
  • ・臭氣水有氣些用途?
  • ・臭氣水清洗的原理是什氣?
  • ・臭氣水如何排放?
  • ・臭氣水的性价比如何?
  • ・尺寸有多大?

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产品介绍

碳化硅晶片

SiC(碳化硅)是由Si和C元素组成的半导体材料碳化硅拥有第二个 周期的碳元素,
与硅或者砷化镓比较,具有很强的原子结合能力,被称为宽带隙半导体。
碳化硅的能带隙达到3.2eV之大,这相当于当前主流的硅半导体的三倍。
因此,介电击穿电场强度约为硅半导体的10倍。此外, 其导热性是后者的三倍, 散热性能优异,耐热性也十分良好。