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MTKの枚葉式洗浄装置 CLシリーズ

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产品介绍

碳化硅晶片

SiC(碳化硅)是由Si和C元素组成的半导体材料碳化硅拥有第二个 周期的碳元素,
与硅或者砷化镓比较,具有很强的原子结合能力,被称为宽带隙半导体。
碳化硅的能带隙达到3.2eV之大,这相当于当前主流的硅半导体的三倍。
因此,介电击穿电场强度约为硅半导体的10倍。此外, 其导热性是后者的三倍, 散热性能优异,耐热性也十分良好。