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使用臭氧水清洗的优点

【结果】

通过臭氧水清洗从而在硅基板表面上形成最大厚度0.8nm的氧化膜。

【结果】

通过反复清洗处理,仅仅10秒时间表可以达到良好的效果。

【结果】

通过使用臭氧水清洗,从而去除了各种基板上的有机物质。

出展:オゾンハンドブック

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产品介绍

碳化硅晶片

SiC(碳化硅)是由Si和C元素组成的半导体材料碳化硅拥有第二个 周期的碳元素,
与硅或者砷化镓比较,具有很强的原子结合能力,被称为宽带隙半导体。
碳化硅的能带隙达到3.2eV之大,这相当于当前主流的硅半导体的三倍。
因此,介电击穿电场强度约为硅半导体的10倍。此外, 其导热性是后者的三倍, 散热性能优异,耐热性也十分良好。