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sicウエハ販売

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MTKはTankeBlue社(タンケブルー社)と契約し、安価で高品質なSiCウエハーを日本の顧客に販売いたします。
SiCウエハーはパワーLSI用、高輝度LED用として今後の使用増加が期待されています。
2インチ、3インチ、4インチに加え5mm角から30mm角基板も扱っております。

SiCウエハ販売

インチ タイプ ※ オフ角度 ※ グレード マイクロパイプ数 ※ 厚さ 表面加工仕上げ
6インチ 4H-Nタイプ 4°±0.5° ダミー 不問 350±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
インチ タイプ ※ オフ角度 ※ グレード マイクロパイプ数 ※ 厚さ 表面加工仕上げ
4インチ 4H-Nタイプ 4°±0.5° プライム ≤ 1 cm-2 350±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
プロダクション ≤ 5 cm-2
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
インチ タイプ ※ オフ角度 ※ グレード マイクロパイプ数 ※ 厚さ 表面加工仕上げ
3インチ 4H-Nタイプ 0°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2 350±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
4°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
4H-半絶縁性 4°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2 350±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
6H-Nタイプ 0°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2 350±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
6H-半絶縁性 0°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2 350±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
インチ タイプ ※ オフ角度 ※ グレード マイクロパイプ数 ※ 厚さ 表面加工仕上げ
2インチ 4H-Nタイプ 0°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2 330±<25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
4°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
4H-半絶縁性 4°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2 330±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
6H-Nタイプ 0°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2 330±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
6H-半絶縁性 0°±0.5° プロダクション ≤ 5 cm-2 330±25um Si面:CMP仕上げ
C面:光学鏡面仕上げ(ミラー)
リサーチ ≤ 30 cm-2
ダミー 不問
アズスライス品
(INGOT切り出し状態。
外周円形加工あり)
タイプ ※ オフ角度 ※ グレード マイクロパイプ数 ※ 厚さ 表面加工仕上げ
4インチ 4H-N 4°±0.5° ダミー 不問 400±25um 1次・2次オリフラ有り。
研削・CMP無し
3インチ 4H-N 0°±0.5°
3インチ 4H-N 4°±0.5°
3インチ 4H半絶縁 4°±0.5°
3インチ 6H-N 0°±0.5°
3インチ 6H半絶縁 0°±0.5°
2インチ 4H-N 0°±0.5°
2インチ 4H-N 4°±0.5°
2インチ 4H半絶縁 4°±0.5°
2インチ 6H-N 0°±0.5°
2インチ 6H半絶縁 0°±0.5°

※はSiC用語辞典をご参照下さい。

4インチウエハ仕様表

グレード区分
プライム プロダクション リサーチ ダミー
ポリタイプ 4H-N
直径 100mm±0.5mm
厚さ 350μm±25μm
キャリア種類 N-type
抵抗 0.01~0.03 Ω·cm 0.01~0.1Ω·cm 0.01~0.1Ω·cm
オフ角度 4.0°±0.5°
TTV/Bow /Warp TTV < 15μm   Bow < 45μm   Warp < 45μm 
マイクロパイプ数 < 1cm-2 < 5cm-2 < 30cm-2 不問
表面粗さ  Si面:CMP仕上げ:Ra <0.5 nm
C面:光学鏡面仕上げ:Ra <1 nm
FWHM <30arcsec <50arcsec 不問
Edge exclusion 3mm
1次オリフラ {10-10} ±5.0°
1次オリフラ長さ 32.5mm±2mm
2次オリフラ C-face: 90°ccw. from orientation flat 0.5°
Si-face:90° cw. from orientation flat 0.5°
2次オリフラ長さ 18.0mm±2mm

SiCウエハ、角基板の片面または両面に電極用金属膜を形成します。

SiCインゴット製品

SiCインゴット タイプ ※ オフ角度 ※ グレード マイクロパイプ数 ※ 厚さ 表面加工仕上げ
6インチ 4H-N 4°±0.5° ダミー 不問 ・5~9.9mm
(厚さAタイプ)
・10~14.9mm
(厚さBタイプ)
・15~ 19.9mm
(厚さCタイプ)
外周円形加工有り
1次・2次オリフラ有り
4インチ 4H-N 4°±0.5°
3インチ 4H-N 0°/4°±0.5°
3インチ 4H半絶縁 4°±0.5°
3インチ 6H-N 0°±0.5°
3インチ 6H半絶縁 0°±0.5°
2インチ 4H-N 0°/4°±0.5°
2インチ 4H半絶縁 4°±0.5°
2インチ 6H-N 0°±0.5°
2インチ 6H半絶縁 0°±0.5°

※はSiC用語辞典をご参照下さい。

SiCウエハ、角基板の片面または両面に電極用金属膜を形成します。

膜種類 Ti Ni Au Mo Pt Al Cr 等
成形方法 スパッタ方式 蒸着方式
膜厚 0.05μm~10μm
その他の膜種 酸化膜 ポリシリ膜等

ウエハ標準厚350μmから最小100μm厚まで薄厚化致します。ご希望の厚さにお応え致します。
複雑形状のような加工も可能ですので、ご希望の仕様をお聞かせ下さい。

2インチ、3インチ、4インチ各サイズSiCウエハを御社希望サイズの角チップにダイシング致します。
□1mm~40mmの範囲でご指定下さい。
ダイシング後のチップの発送は、ダイシング用テープにダイシングされたウエハを貼った方法が標準となります。
また角チップ専用トレーでの発送にもお応え致します。

MTKはSiC製品の販売開始依頼、クイックサービスと安価さにより多くの顧客から好評を得ております。
おかげ様で取引先は300社を越えました。他社では扱っていないからと、あきらめていた場合でも、是非一度ご相談下さい。顧客の声に真摯に対応させて頂きます。

販売実績リスト

■LSI製造会社  ■センサ・MEMS製造会社  ■自動車製造会社
■電力会社  ■LED製造会社  ■製薬会社
■半導体用装置製造会社
 ◯炉関係(酸化、アニール等)用 ◯研磨・研削等加工用 ◯イオン注入用 ◯ダイシング・スライス加工用 ◯搬送機用
■試料分析会社  ■スラリー・パッド等材料会社  ■商社
■大学  ■公共研究機関   ■研究機関

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SiC ウエハ

SiC(炭化ケイ素)はSiとCからなる半導体材料である。第2周期の元素であるCを有するSiCはSiやGaAsに比べ強固な結合原子を持ち、ワイドギャップ半導体と呼ばれる。SiCのバンドギャップは3.2eVと大きく、現在主流のSi半導体と比較し約3倍である。
その為、絶縁破壊電界強度はSi半導体の約10倍と脅威的に大きい。 その他、熱伝導度は3倍高く放熱性に優れ、耐熱性も良好である。