業務案内

サファイアウエハ・ 単結晶GaN基板の販売

  • サファイアウエハ販売
  • 単結晶GaN基板販売

LED用、光学用パーツなど幅広く使用される単結晶サファイヤウエハ。
高品質なサファイアウエハを安価にて販売いたします。

仕様表(2インチ、3インチ)

直径 2インチ
50.8±0.1mm
3インチ
76.2±0.2mm
材質 >99.996%高純度アルミナ
品質 欠陥フリー(No Crakes, Pores, Scratches, Inclusions, Twins)
厚さ 430±15um 500±15um
結晶方位 C-plain(0001) ± 0.25°
1次オリフラ長さ 16.0±0.8mm 22.0±1.0mm
1次オリフラ方位 A-plain(11-20) ± 0.2°
TTV 10um以下 15um以下
LTV 10um以下 15um以下
TIR 10um以下 15um以下
BOW 10um以下 15um以下
Warp 10um以下 15um以下
表面仕上げ Epi-ready (Ra <0.2nm)
裏面仕上げ 研削仕上げ(Ra=0.5~1.2um)
洗浄・梱包 クラス100クリーンルーム内にて
真空・窒素封入梱包

仕様表(4インチ、6インチ)

直径 4インチ
100.0±0.3mm
6インチ
150.0±0.5mm
材質 >99.996%高純度アルミナ
品質 欠陥フリー(No Crakes, Pores, Scratches, Inclusions, Twins)
厚さ 650±20um 1300±30um
結晶方位 C-plain(0001) ± 0.25°
1次オリフラ長さ 32.5±1.5mm 50.0±2.0mm
1次オリフラ方位 A-plain(11-20) ± 0.2°
TTV 20um以下 25um以下
LTV 20um以下 20um以下
TIR 20um以下 20um以下
BOW 20um以下 25um以下
Warp 20um以下 25um以下
表面仕上げ Epi-ready (Ra <0.2nm)
裏面仕上げ 研削仕上げ(Ra=0.5~1.2um)
洗浄・梱包 クラス100クリーンルーム内にて
真空・窒素封入梱包
2インチ製品 項目 サイズ・スペック
材料 高純度アルミナ
直径 50.8±0.1mm
厚さ 430±15um
オリフラ長さ 16±1.0mm
オリフラ方位 A Plain ± 0.3 °
表面仕上げ エピレディー表面
裏面仕上げ Ra=0.9±0.3um
表面方位A 0°off ± 0.1°
表面方位M 0.2°off ± 0.1°
エッジエクスロージョン 2mm
パターン幅 2.5um ~ 2.7um
パターン高さ 1.40um ~ 1.7um

PSSパターン形状

4インチ製品 項目 サイズ・スペック
材料 高純度アルミナ
直径 100±0.1mm
厚さ 650±20um
オリフラ長さ 31±1.5mm
オリフラ方位 A Plain ± 0.3 °
表面仕上げ エピレディー表面
裏面仕上げ Ra=1.0±0.2um
表面方位A 0°off ± 0.1°
表面方位M 0.2°off ± 0.1°
エッジエクスロージョン 3mm
パターン幅 2.55um
パターン高さ 1.55um

MTKは中国の単結晶GaN製造会社である蘇州納維科技有限公司と契約締結し、日本国内でのウエハ販売を開始いたしました。
パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザ用に注目されています。

GaNテンプレート(φ2インチ)

製品型番 GaN-T-C-N-C50 GaN-T-C-P-C50
直径 φ50.8mm ± 0.1mm
GaN膜厚 4um。 10~25um 4um
方位面 C面(0001)面 ± 0.5°
導電タイプ N型
(Undoped)
N型
(Si-doped)
P型
オリフラ方位。長さ オリフラ方位(1-100)。 オリフラ長さ16 ±1mm
電気抵抗率(300K) < 0.5Ω・cm < 0.05Ω・cm ~10Ω・cm
転移欠陥密度 5 X 108 個/cm2以下
基板構造 GaN / サファイアウエハ(0001)面
有効面積 90%以上
表面仕上げ Ga面:CMP仕上げ。 N面:ファイングランディング(オプション:光学鏡面仕上げ)
梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

GaNテンプレート(φ4インチ)

製品型番 GaN-T-C-N-C100
直径 φ100mm ± 0.1mm
GaN膜厚 4um。 10~25um
方位面 C面(0001)面 ± 0.5°
導電タイプ N型
(Undoped)
オリフラ方位。長さ オリフラ方位(1-100)。 オリフラ長さ 30 ±1mm
電気抵抗率(300K) < 0.5Ω・cm
転移欠陥密度 5 X 108 個/cm2以下
基板構造 GaN / サファイアウエハ(0001)面
有効面積 90%以上
表面仕上げ Ga面:CMP仕上げ。 N面:ファイングランディング(オプション:光学鏡面仕上げ)
梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

GaNウエハ(φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate

製品型番 GaN-FS-C-N-C50 GaN-FS-C-SI-C50
直径 φ50.8mm ± 0.1mm
ウエハ厚 350 ± 25 um
方位面 C面(0001)面 ± 1°
導電タイプ N型
(Undoped)
半-絶縁性
1次オリフラ方位。長さ オリフラ方位(1-100)±0.5°。 オリフラ長さ16 ±1mm
2次オリフラ方位。長さ オリフラ方位(11-20)±3°。 オリフラ長さ 8 ±1mm
平坦度TTV 15um以下
反りBOW 20um以下
電気抵抗率(300K) < 0.5 Ω・cm > 106 Ω・cm
転移欠陥密度 5 X 105 個/cm2以下
有効面積 90%以上
表面仕上げ Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド(非鏡面)
梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

GaN角基板

製品型番 GaN-FS-C-N-S10*10
サイズ 10mm * 10.5mm、 ±0.2mm
基板厚 350 ± 25 um
方位面 C面(0001)面 ± 1°
導電タイプ N型
(Undoped)
半-絶縁性
平坦度TTV 15um以下
反りBOW 20um以下
電気抵抗率(300K) < 0.5 Ω・cm > 106 Ω・cm
転移欠陥密度 5 X 105 個/cm2以下
有効面積 90%以上
表面仕上げ Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド(非鏡面)
梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

非極性GaN角基板(A面&M面)

製品型番 GaN-FS-A-N-S GaN-FS-M-N-S
サイズ(例1) 5mm * 10mm、 ±0.2mm
サイズ(例2) 5mm * 20mm、 ±0.2mm
基板厚 350 ± 25 um
方位面 A面(1120)面 ± 1°
M面(1-100)面 ± 1°
導電タイプ N型
(Undoped)
半-絶縁性
1次オリフラ方位。長さ オリフラ方位(1-100)±0.5°。 オリフラ長さ16 ±1mm
平坦度TTV 15um以下
反りBOW 20um以下
電気抵抗率(300K) < 0.5 Ω・cm > 106 Ω・cm
転移欠陥密度 5 X 105 個/cm2以下
有効面積 90%以上
表面仕上げ Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド(非鏡面)
梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。

AlNテンプレート(φ2インチ)

製品型番 AlN-T-C-S-C50
直径 φ50.8mm ± 0.1mm
GaN膜厚 標準仕様:4um
オプション:10nm ~ 5000nm(5um)
方位面 C面(0001)面 ± 1°
導電タイプ 半絶縁性
オリフラ方位。長さ オリフラ方位(1-100)。 オリフラ長さ16±1mm
基板構造 AlN / サファイアウエハ(またはSiCウエハ、GaNウエハ)
有効面積 80%以上
表面仕上げ Al面:CMP仕上げ。
N面:標準仕様はファイングランディング仕上げ(オプション:光学鏡面仕上げ)
結晶半値幅
(微少欠陥数程度)
XRD半値幅(0002)面 : < 500 arcsec.
XRD半値幅(10-12)面 : < 1500 arcsec.
梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。
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SiC ウエハ

SiC(炭化ケイ素)はSiとCからなる半導体材料である。第2周期の元素であるCを有するSiCはSiやGaAsに比べ強固な結合原子を持ち、ワイドギャップ半導体と呼ばれる。SiCのバンドギャップは3.2eVと大きく、現在主流のSi半導体と比較し約3倍である。
その為、絶縁破壊電界強度はSi半導体の約10倍と脅威的に大きい。 その他、熱伝導度は3倍高く放熱性に優れ、耐熱性も良好である。