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オゾン水による各不純物除去メカニズム

【結果】

ゾン水洗浄によりSi基板表面上に最大0.8nm厚さの酸化膜が形成される。

【結果】

オゾン水洗浄は短時間10秒にもかかわらず繰り返し処理を行うとパーティクル除去率は良好である。

【結果】

オゾン水洗浄により各種基板表面上有機物が除去出来た。

出展:オゾンハンドブック

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SiC ウエハ

SiC(炭化ケイ素)はSiとCからなる半導体材料である。第2周期の元素であるCを有するSiCはSiやGaAsに比べ強固な結合原子を持ち、ワイドギャップ半導体と呼ばれる。SiCのバンドギャップは3.2eVと大きく、現在主流のSi半導体と比較し約3倍である。
その為、絶縁破壊電界強度はSi半導体の約10倍と脅威的に大きい。 その他、熱伝導度は3倍高く放熱性に優れ、耐熱性も良好である。